Whakaahuatanga
Gallium Nitride GaN, CAS 25617-97-4, papatipu rāpoi 83.73, hanganga karaihe wurtzite, he pūhui ā-rua pūhui āputa āputa tika o te rōpū III-V i whakatipuhia e te tikanga tukanga ammonothermal tino whakawhanakehia.E tohuhia ana e te kounga tioata tino pai, te kawe waiariki teitei, te hikoi irahiko teitei, te papa hiko tino nui me te mokowhiti whanui, ko Gallium Nitride GaN nga ahuatanga e hiahiatia ana i roto i te optoelectronics me nga tono mohio.
Nga tono
Ko te Gallium Nitride GaN he pai mo te hanga i nga waahanga o nga waahanga o nga rama rama-rama me te kaha o nga waahanga hiko, laser me nga taputapu optoelectronics penei i nga laser matomato me te puru, nga hua whakawhiti hiko hiko teitei (HEMTs) me te kaha-kaha. me te ahumahi whakangao taputapu teitei-mahana.
Tukunga
Gallium Nitride GaN i Western Minmetals (SC) Corporation ka taea te whakarato i te rahi o te angiangi porohita 2 inihi ” ranei 4 ” (50mm, 100mm) me te angiangi tapawha 10×10 ranei 10×5 mm.Ko nga rahi me nga whakaritenga mo te otinga tino pai ki o taatau kaihoko puta noa i te ao.
Whakatakotoranga Hangarau
Gallium Nitride GaNi Western Minmetals (SC) Corporation e taea te whakarato i roto i te rahi o te angiangi porohita 2 inihi ” ranei 4 ” (50mm, 100mm) me te angiangi tapawha 10×10 ranei 10×5 mm.Ko nga rahi me nga whakaritenga mo te otinga tino pai ki o taatau kaihoko puta noa i te ao.
Kao. | Nga taonga | Whakatakotoranga Paerewa | ||
1 | Hanga | Porohita | Porohita | Tapawhā |
2 | Rahi | 2" | 4" | -- |
3 | Diamita mm | 50.8±0.5 | 100±0.5 | -- |
4 | Taha Taha mm | -- | -- | 10x10, 10x5 ranei |
5 | Tikanga Tipu | HVPE | HVPE | HVPE |
6 | Takotoranga | Rererangi-C (0001) | Rererangi-C (0001) | Rererangi-C (0001) |
7 | Momo Kawenga | N-momo/Si-doped, Un-doped, Semi-insulating | ||
8 | Te parenga Ω-cm | <0.1, <0.05, >1E6 | ||
9 | Mātotoru μm | 350±25 | 350±25 | 350±25 |
10 | TTV μm mōrahi | 15 | 15 | 15 |
11 | Kopere μm mōrahi | 20 | 20 | 20 |
12 | EPD cm-2 | <5E8 | <5E8 | <5E8 |
13 | Whakaoti Mata | P/E, P/P | P/E, P/P | P/E, P/P |
14 | Riroke Mata | Mua: ≤0.2nm, Hoki: 0.5-1.5μm ranei ≤0.2nm | ||
15 | Te takai | Ko te ipu angiangi kotahi kua hiri ki te peeke Aluminium. |
Tātai Raina | GaN |
Taumaha rāpoi | 83.73 |
Hanganga tioata | Te ranunga konutea/Wurtzite |
Te ahua | Mārō māwhiti |
Iwi Whakarewa | 2500 °C |
Kohuatanga | N/A |
Kiato i te 300K | 6.15 g/cm3 |
Aputa Pungao | (3.2-3.29) eV i te 300K |
Te parenga o roto | >1E8 Ω-cm |
Tau CAS | 25617-97-4 |
Tau EC | 247-129-0 |
Gallium Nitride GaNhe pai mo te hanga o te tapahi-mata tere tere me te kaha teitei kanapa marama-emitting diodes LEDs wāhanga, taiaho me te optoelectronics taputapu pērā i lasers matomato me te puru, High electron nekeneke transistors (HEMTs) hua me te i roto i te mana teitei me te teitei- ahumahi hanga taputapu pāmahana.
Tohutohu Hokonga
Gallium Nitride GaN